韩国研究财团发布消息称，成均馆大学研究组发明了可以体现三进位制新概念的超
节能半导体元件和电路技术。该技术突破了目前二进位制数字信号传送的计算机处理技术界限。该技术与目前不同材料垂直结合方式、电流特性和电路方式完全不同，是一项独创的研究成果，为半导体元件与电路的研究开辟了新的方向，具有重要意义。
研究组通过表面无缺陷的黑磷和二硫化铼的垂直结合，开发出具有电压增大、电流就减少特性的新型半导体元件。该技术设计独特，为研发超节电元件和超节电三进位制的转换电路奠定了基础。
该项成果获得韩国2017年“科学技术人奖”。
