穿戴应用1——2年推出样机

 

　　晶电总经理周铭俊也表示，晶电在5年内有机会把Micro LED的营收纳入，他预期2018——2019年在穿戴装置上的应用有可能贡献营收。 周铭俊分析，Micro LED技术的开发主要有三大关键，包含LED芯片、巨量转移技术、后段电路链接等，晶电主要是前段芯片部分，考虑一次搬运的芯片数最大化，Micro LED会以6吋晶圆生产，对晶电来说，磊晶（Epi）没有问题，但是芯片部分，晶电必须将机台从4吋升级成6吋，这对晶电来说，会是较大的设备投资，因此晶电不排除考虑跟晶圆厂合作 ，利用该厂的6吋晶圆生产。

 

　　周铭俊表示，Micro LED如果只停留在穿戴装置，很难发挥消化LED厂产能的效果，必须进到手机领域才会有经济规模，他也认同，Micro LED是大市场，也是高风险投资，是相对客制化（Customized）的产品，未来5年变量还很多，完全要看与客户合作开发的情况。

 

　　10吋以上还需要3——5年

 

　　晶电董座李秉杰则指出，Micro LED还没有厂商出货，但却指引出LED还有许多新的应用领域，他预估在穿戴装置、VR上的应用，产业可望在1——2年内推出样机，但要进阶到10吋以上的市场如NB、TV等，还需要3——5年。

 

　　不过李秉杰强调，全球可以同时提供RGB三原色的厂商只有晶电、欧司朗，一旦Micro LED商业量产，对晶电来说可以取得商机。 晶电对LED芯片尺寸定义为，现有芯片约200——300微米，小间距显示器芯片约150微米，Mini LED约50——60微米，可视为Micro LED前身，Micro LED仅15微米；晶电企图透过量产Mini LED争取小间距显示屏的市场，以及直下式电视HDR功能中所需的LED。