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性能指标
本系统能够适应多种规格单晶硅片检测需求，能满足以下性能指标：
能够检测硅片各种缺陷，包括电阻率、厚度、TTV、P/N、线痕、几何尺寸、脏污、孔洞、隐裂、BOW/WARP，具体检测项目和测量误差要求如表1所示；
检测效率能达到3000片/小时；
能实现自动上下料；
合格标准可设定，以适应区分不同的质量级别；
具备硅片分选功能：客户可根据需求选择分选工位的数量，各工位的分选标准可以自定义；
碎片率要求<0.1%；
可以进行数据存储、统计、分析、查询及图表绘制等。配备网络接口，可以进行测量设备现场联网统一控制管理。测量结果能够打印输出。
表 1 检测项目和精度
序号 | 不良类型 | 误差 |
1 | 电阻率 | 5%（0.3-3ohm·cm） |
厚度 | ≤ 1.5μm | |
TTV | ≤ 3μm | |
P/N | 无误判 | |
BOW/WARP | 根据厚度指标计算 | |
2 | 边长 | ±0.1mm |
对角线长 | ±0.1mm | |
弦长 | ±0.2mm | |
角度 | ±0.1° | |
3 | 孔洞（包含贯穿和非贯穿） | 可识别直径大于0.15mm |
裂纹、隐裂 | 可识别宽度×长度：0.015mm×1mm | |
4 | 脏污（包含水痕、指纹、笔油、油污、水渍、蚊虫、黑点、承载器痕、孪晶、亮线等多种） | 可识别长×宽：0.15mm×0.15mm |
