北京京仪集团涿鹿光伏材料有限公司 156*156规格多晶硅方片标准 | ||
生长方法 | Growth Method | DSS |
导电型号 | Conductive Type | P |
掺杂剂 | Dopant | B |
电阻率 | Resistivity(ρ) | 1.0 -3.0Ω·cm |
少子寿命 | Minority Carrier Lifetime | ≥1.2μs(裸片) |
氧含量 | Oxygen Content(oi) | ≤1.0*1018 at/cm3 |
碳含量 | Carbon Content(c) | ≤1.0*1017 at/cm3 |
硅片尺寸 | Size | 156*156+0.3mm |
倒角线角度 | Bebel Edge Angle | 45°± 10° |
倒角线宽度 | Bebel Edge Width | 0.5-2mm |
硅片厚度 | Thickness | 200±20 μm |
总厚度变化 | TTV | ≤30μm |
线痕 | Saw Mark | ≤15μm |
弯曲度/翘曲度 | Bow/Warp | ≤30μm |
崩边 | Chip | 宽≤0.3㎜,深度≤0.5㎜,且每片小于1个 |
微裂纹 | Crack | 不允许 |
外观 | Appearance | 目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹 |
晶粒尺寸 | Crystal Grain | ≤10pcs/ cm2 |
平均转换效率 | Average conversion efficiency | 17.6% |