太阳能多晶硅片

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　　一、设备概况

　　晶体类型：多晶硅

　　掺杂物：为满足一定的电阻率要求，加入硼与硅材料混合后实现目标电阻率。

　　二、技术参数

　　电学特性

　　电阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm(平均1.5Ω.cm)

　　少数载流子寿命：>2 µs

　　导电类型：P型

　　化学特性

　　碳含量：<2×1018 cm-3

　　氧含量：<4×1017 cm-3

　　尺寸

　　硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm

　　125 mm×125 mm±0.5 mm

　　硅片厚度：200 µm±30 µm

　　偏差：≤50 µm

　　弓形：≤60 µm

　　线痕：≤20 µm

　　边缘缺陷：无

　　其他

　　硅片表面：切面完整清洁。

　　污染物：无污垢，油污、皂液、粘合剂的残留物、指纹等