规格(尺寸) | 156×156 | 导电类型 | P型,掺杂 P type | 晶向 | <100>±3° | 电阻率范围(欧母·厘米) | 0.5~3 Ω.cm | 少子寿命 (μs) | ≥10 | 氧含量(atoms/cm3) | ≤1.0×1018 | 碳含量(atoms/cm3) | ≤5×1016 | 位错密度(个/cm2) | ≤3000 | 晶体硅片边长(mm) | 156×156±0.5 | 对角线(mm) | 200±0.5 | 厚度值(μm) | 200±20 | 厚度差异(μm) | ≤30 | 弯曲度(μm) | <50 | 外观状况 | 清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞 | |