热解氮化硼（PBN）坩埚

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概述
       热解氮化硼（PBN）是种特种陶瓷材料，在特殊设备上用化学气相沉积的工艺制得，热解氮化硼的沉积过程宛如“落雪”，氮化硼的六角形小雪片，一片一片的平行的落在石墨基体材料上，达到一定厚度后最终冷却脱模而成。
主要参数

性能		単位	数值
晶格常数		μｍ	a:2.504×10-10c:6.692×10-10
表观密度		g/cm3	2.0~2.19
显微硬度(knoop)(ab平面)		N/mm	691.88
体积电阻系数		Ω·cm	3.11×1011
抗张强度（力∥C）		N/mm2	153.86
抗弯强度	力⊥C	N/mm2	243.63
	力⊥C	N/mm2	197.76
弹性模量		N/mm2	235690
热传导率		W/m·k	“a”方向 “c”方向
	200℃	W/m·k	60         2.60
	900℃	W/m·k	43.70      2.80
介电强度（室温）		KV/mm	56

 主要特点●产品颜色在牙白至橙棕、无毒、无孔隙、易加工。●纯度高达99.99%,表面致密，气密性好。●耐高温，强度随温度升高，2200℃时达到最大值。●耐酸、碱、盐及有机试剂，高温与绝大多数熔融金属、半导体材料不润湿、不反应。●抗热震性好，热导性好，热膨胀系数低。●电阻高，介电强度高，介电常数小，磁损耗角正切低，并具有良好的透微波性和红外线性能。●在力学、热学、电学等性能上有着明显的各向异性。产品应用：坩埚类以及板材类半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用的坩埚，原位合成GaAs、InP、GaP单晶 的LEC系列坩埚。半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用 VGF、VB法系列坩埚。半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用分子束外延用的MBE系列坩埚。晶体合成、金属熔炼蒸发坩埚等。利用其纯度高、绝缘、耐腐蚀等特性，根据客户需求制造不同规格的绝缘垫板、垫片等，发挥其绝缘作用。行波管用夹持杆。