HPE400系列PECVD

手机扫描查看

 

◆  设备用途等离子体增强化学气相淀积（简称PECVD），主要用途是在硅片表面淀积一层减反射氮化硅膜（SixNy），同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率。该设备为国内唯一的第四代PECVD设备，综合性能媲美国际一流产品，其超越同行的实际成膜均匀性，大大减少了上代设备的色差现象，尤其适用于多晶电池片的工艺生产。◆  产品亮点1、单管产能全球率先达到280片（125方片）2、业内独有、领先的压控/温控技术，最成熟的工艺支持3、国产设备中唯一可媲美世界一流设备的成膜均匀性和表面色差4、设备有效工作时间较其他国产设备高5%以上5、自动上下舟系统中国内唯一采用进口精密直线单元<!--[if !supportLists]-->◆      <!--[endif]-->主要技术参数

序号	指 标 项 目	指  标  值
1	成膜种类	氮化硅
2	装片尺寸	□125mm，□156mm
3	装片量	352片/批（□125mm），308片/批（□156mm）
4	送舟方式	软着陆
5	膜厚均匀性	片内≤±4% 片间≤±4% 批间≤±3%（膜厚目标值75nm）
6	折射率	2.0~2.1
7	工作温度范围	100~500℃
8	控温段数	５段
9	升温方式	自动斜率升温及快速恒温功能
10	恒温区精度及长度	±2℃/1200mm（500℃）
11	单点温度稳定度	＜±1℃/4h（500℃）
12	升温时间	RT→450℃≤45min
13	温度控制	双模控制
14	系统极限真空度	<1Pa
15	工艺压力范围	80 Pa~320Pa
16	恢复真空时间	AP→10 Pa＜5min
17	系统漏气率	停泵关阀后压力升率＜0.5Pa /min.
18	压力控制方式	快速调整全自动闭环
19	炉门密封方式	柔性自适应密封
20	工艺控制方式	工艺过程全自动控制,多重安全连锁报警
21	人机交互界面	LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
22	送料方式	自动上下舟
23	外形尺寸	6650×2040×3580（L×W×H，mm，四管）